Le Dépôt Chimique en phase Vapeur (CVD) est un procédé basé sur la formation d’une couche mince solide par dépôt atomique ou moléculaire sur une surface chauffée, la matière solide provenant d’une réaction chimique, où les précurseurs sont introduits dans la phase vapeur. Les espèces déposées sont des atomes, des molécules ou une combinaison de ceux-ci.

Le processus PACVD, dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, se produit à des températures inférieures par rapport au procédé traditionnel CVD parce que c’est l’énergie thermique d’un plasma qui est utilisée qui est utilisé pour démarrer la réaction.

Le procédé CVD se distingue du procédé PVD par le fait que tous les matériaux à l’origine du film sont sous forme gazeuse, alors dans le cas de la PVD, il existe au moins une phase solide (généralement un métal).