PACVD (Plasma Assited Chemical Vapour Deposition) pode ser definido como formação de um filme fino sólido pela deposição atómica ou molecular, numa superfície aquecida, sendo o sólido oriundo de uma reação química onde os precursores estão na fase de vapor. As espécies depositadas são átomos ou moléculas ou a combinação desses.

O processo PACVD ocorre a temperaturas mais baixas do que o processo CVD tradicional porque o plasma e não a energia térmica é usada para desencadear a reação.

O processo de CVD distingue-se do processo de PVD no facto de todos os materiais que originam o filme estão na fase gasosa, ao passo que no PVD pelo menos um deles está em fase sólida (normalmente um metal).